IBM supera la barrera de menos de 10 nm en procesos de fabricación

Intel tiene prototipos funcionales fabricados en proceso de 14 nm funcionando en sus laboratorios, una cifra cada vez más cercana a la barrera del silicio que, en teoría, se sitúa en los 7 nm.
El caso es que IBM ha anunciado durante la celebración del IEEE (International Electron Devices Meeting) que han conseguido romper la barrera de los 10 nm en procesos de fabricación, consiguiendo fabricar el primer transistor sub-10nm basado, eso sí, en el grafeno, nanotubos de carbono y molibdenita.
Este tipo de chips se fabrican con tecnología CMOs en obleas de 200 mm y son capaces de correr a frecuencias de hasta 5 GHz, manteniéndose estables incluso a temperaturas de 200 grados.
Por otro lado el gigante azul también ha mostrado sus avances en lo que respecta a los chips basados en molibdenita, chips que según la compañía son muy superiores al grafeno y que pueden ser fabricados con capas de apenas tres átomos de espesor. En este enlace podéis leer la noticia de una manera más completa.

RAM 3D de mano de IBM y Micron

IBM y Micron aúnan esfuerzos y recursos para ofrecernos la primera memoria RAM con estructura tridimensional.

Al igual que Intel comenzara a trabajar con sus transistores 3D, ahora le toca el turno a la memoria RAM, que combinando la estructura de Cubo de Memoria Híbrida de Micron (HMC) y el proceso de fabricación de chips por vías a través de silicio de IBM (TSVs), permite crear una estructura 3D de chips de RAM.
El proceso de fabricación de 32 nm con conductos verticales permite conectar eléctricamente una pila de chips individuales, consiguiendo 10 veces más ancho de banda (128 GB/s) que la memoria RAM actual, un 70% menos de energía y un tamaño de sólo un 10%.
En principio, la RAM 3D está destinada para servidores e industria en general, pero se espera que también llegue al sector doméstico tarde o temprano. ¿Cuánto tiempo le damos para que esto ocurra?